[9p-Z05-1~14] 【CS.6】6.5 表面物理・真空と7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[9p-Z05-13] プラズマCVDにより作製したSiO:CH微粒子堆積膜における正DCバイアス印加による構造制御及び撥水特性の向上

池田 健太郎¹、呉羽 喬介¹、〇菅野 匡宏¹、井上 泰志¹、高井 治² (1.千葉工大、2.関東学院大)

キーワード：プラズマCVD, SiO:CH微粒子堆積膜

SiO:CH微粒子堆積膜は，印加電圧による構造制御は可能かどうかを検証するとともに，撥水特性の面内均一化を調査することを目的とした．上部電極に正電圧を+0 Vから+40 Vまで(20 V間隔)印加させ成膜を行った結果，膜表面では電圧を上げるにつれて粒径が小さくなり，さらに微粒子が凝集体となって堆積することが確認され，20 V以上では基板全体にほぼ均一に微粒子堆積膜が形成することが確認された．