[9p-Z08-1~7] Recent Progress in Nonvolatile Memory technologies - Spintronic, Phase-change, Resistive and Ferroelectric-

[9p-Z08-6] Phase change materials for PCRAM realizing low-energy operation

〇Yuji Sutou¹, Shogo Hatayama¹, Yi Shuang¹, Shunsuke Mori¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:phase change random access memory, non-volatile memory

実用PCRAMにはGe-Sb-Te（GST）が用いられ高速動作及び長期繰返し性を実現しているが、反面、高温データ保持性に劣る、他の次世代メモリに比して動作エネルギーが高い、などの課題を残す。我々は、PCRAM材料として、GSTとは逆の抵抗変化を示すCr₂Ge₂Te₆や結晶多形変化により大きな抵抗変化を示すMnTeなどを提案している。本発表では、我々が取り組んでいるそれら材料について、その伝導機構や相変化メカニズム、また、省エネルギー動作性について紹介する。