[9p-Z12-1~19] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[9p-Z12-14] 選択成長を用いたGe-on-Si(111)基板上への高品質な歪みSiGe層の作製

〇我妻 勇哉¹、Md. Mahfuz Alam^1,2、岡田 和也¹、星 裕介¹、山田 道洋³、浜屋 宏平³、澤野 憲太郎¹ (1.東京都市大学　総合研究所、2.Univ. of Barisal、3.阪大基礎工 CSRN)

キーワード：SiGe, 臨界膜厚