[9p-Z12-1~19] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[9p-Z12-18] 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける正孔移動度のチャネル方向依存性

〇(M1)藤澤 泰輔¹、各川 敦史¹、浪内 大地¹、佐野 雄一¹、泉 大輔¹、山中 淳二¹、原 康祐¹、澤野 憲太郎²、中川 清和¹、有元 圭介¹ (1.山梨大工、2.東京都市大総研)

キーワード：歪みSi, 正孔移動度