[9p-Z19-1~16] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

△ [9p-Z19-8] 相変化材料を用いた中赤外光位相シフタの提案

〇(M2)宮武 悠人¹、何 鐘培¹、牧野 孝太郎²、富永 淳二²、宮田 典幸²、中野 隆志²、関根 尚希¹、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工、2.産総研デバ技)

キーワード：相変化材料, 中赤外, 位相シフタ

本研究では、代表的な相変化材料であるGe₂Sb₂Te₅の光吸収が中赤外領域において近赤外領域よりも低減されることに着目し、中赤外領域で動作する光位相シフタの提案を行い作製した位相シフタの実験結果を報告する。