[9p-Z20-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-Z20-14] MBE成長Al₂O₃ホモエピタキシャル薄膜の表面モフォロジー制御

〇(PC)神野 莉衣奈¹、奥村 宏典¹ (1.筑波大数理)

キーワード：超ワイドバンドギャップ材料, 酸化アルミニウム, 薄膜成長

α‑A₂O₃(sapphire)は、約8.8 eVのバンドギャップ(E_g)を持つ固体材料であり、α‑Ga₂O₃(E_g=5.6 eV)との混晶によるヘテロ構造を用いることで、パワーデバイスや深紫外発光デバイスへの応用が期待されている。α‑A₂O₃は高品質かつ大面積の基板が市販されているが、薄膜結晶成長に関する報告は限られている。本研究では、分子線エピタキシー(MBE)を用いた、原料供給比と成長温度T_gに対するα‑Al₂O₃成長速度および表面モフォロジーへの影響について報告する。