The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[9p-Z20-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Wed. Sep 9, 2020 1:00 PM - 5:45 PM Z20

Toshiyuki Kawaharamura(Kochi Univ. of Tech.), Takeyoshi Onuma(Kogakuin Univ.), Kentaro Kaneko(Kyoto Univ.)

4:45 PM - 5:00 PM

[9p-Z20-13] Effect of acetylacetonation in α-(AlGa)2O3 alloys grown by mist CVD

〇marika ohta1, kazuyuki uno1, ichiro tanaka1 (1.Wakayama Univ.)

Keywords:alpha-Gallium oxide, alpha-Aluminium gallium oxide, mist CVD

α型酸化ガリウム(α-Ga2O3)は5.6 eVの禁制帯幅をもつことが報告されている酸化物半導体である。α-Ga2O3とα-Al2O3との混晶であるα-(AlGa)2O3を用いることで深紫外領域のバンドギャップエネルギー制御が期待されている。本研究では、ミストCVD法を用いてα-(AlGa)2O3混晶成長における原料水溶液中のAlイオンのacac化に注目した実験を行ったので報告する。