[9p-Z20-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-Z20-2] TEM観察を用いたSnドープm面α-Ga₂O₃の結晶欠陥評価

〇早川 紘生¹、城川 潤二郎¹、高橋 勲²、四戸 孝²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.FLOSFIA)

キーワード：酸化物半導体, 酸化ガリウム, 透過型電子顕微鏡

α酸化ガリウムは5.3eVという大きなバンドギャップ値やミストCVD法に代表される成長方法の確立により、今後のパワーデバイス応用が期待されている新材料である。鳥取大学よりc面とm面での電気特性の異方性が報告され、その原因は結晶欠陥だと推測されている。そこで我々は透過型電子顕微鏡を用いてSnドープしたm面α酸化ガリウムの結晶欠陥、特に転位線の評価を行った。当日はSn濃度と転位線の特徴の関係性について述べる。