[9p-Z20-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-Z20-3] カソードルミネッセンス法を用いたm面サファイア基板上Sn-doped α-Ga₂O₃の深い準位の解析

〇守屋 亮¹、城川 潤二郎¹、高橋 勲²、四戸 孝²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.FLOSFIA)

キーワード：酸化ガリウム, 深い準位, カソードルミネッセン

α-Ga₂O₃はパワーデバイスへの応用が期待されている新しいワイドギャップ半導体である。電子輸送特性の異方性が存在し、移動度はc面よりもm面の方が高いと報告されている。しかしながら、Snをドープしたｍ面α-Ga₂O₃における深い準位に関する研究は報告されていない。そこで我々はカソードルミネッセンス法を用いてSnの濃度と深い準位の関係を評価した結果を報告する。