[9p-Z20-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[9p-Z20-8] Effects of Nitrogen-Ion Implantation on Responsivity Spectra of b-Ga₂O₃ Crystals

〇(M1)Masahiko Nakanishi¹, Man Hoi Wong², Tomohiro Yamaguchi¹, Tohru Honda¹, Masataka Higashiwaki², Takeyoshi Onuma^1,2 (1.Kogakuin Univ., 2.NICT)

Keywords:Ga2O3, Responsivity, Ion Implantation

窒素イオン注入した酸化ガリウムの受光感度スペクトルの測定を行った。得られたスペクトルに対し、バンドギャップ以下(2.0～4.5 eV)の範囲とバンドギャップ以上(4.5～5.5 eV)の範囲で強度積分を行いアニール温度に対してプロットを行った。得られた結果から、窒素イオン注入が補償アクセプタの形成と、新たな非輻射性再結合中心の形成を誘起し、残留キャリアと光励起キャリアに影響を及ぼすことが分かった。