[9p-Z25-1~6] 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

[9p-Z25-5] Evaluation of Reactivity between Photoresist and Oxygen Radicals Generated in He/O₂ Mixtures

〇Masashi Yamamoto¹, Koki Akita¹, Shiro Nagaoka¹, Keisuke Ohdaira², Hironobu Umemoto^3,4, Hideo Horibe⁴ (1.Kagawa KOSEN, 2.JAIST, 3.Shizuoka Univ., 4.Osaka City Univ.)

Keywords:photoresist, removal, radical

我々はこれまでの研究で、H₂/O₂混合雰囲気において除去速度が向上することを見出した。H₂/O₂混合雰囲気では、Hラジカルに加え極微量のOラジカルとOHラジカルが生成される。本研究では、He/O₂混合雰囲気のもとでOラジカルを生成し、レジスト除去速度に対するOラジカルの影響を調べた。その結果、O₂の混合比率を増加させると、むしろ除去速度が低下することがわかった。H₂/O₂混合雰囲気における除去速度の向上は、OラジカルではなくOHラジカルによるものと考えられる。