2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

7 ビーム応用 » 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[9p-Z25-1~6] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

2020年9月9日(水) 13:00 〜 14:30 Z25

山本 治朗(日立)、谷口 淳(東理大)

14:00 〜 14:15

[9p-Z25-5] He/O2混合ガス中で生成したOラジカルのレジストとの反応性評価

山本 雅史1、秋田 航希1、長岡 史郎1、大平 圭介2、梅本 宏信3,4、堀邊 英夫4 (1.香川高専、2.北陸先端大、3.静大、4.大阪市大)

キーワード:レジスト, 除去, ラジカル

我々はこれまでの研究で、H2/O2混合雰囲気において除去速度が向上することを見出した。H2/O2混合雰囲気では、Hラジカルに加え極微量のOラジカルとOHラジカルが生成される。本研究では、He/O2混合雰囲気のもとでOラジカルを生成し、レジスト除去速度に対するOラジカルの影響を調べた。その結果、O2の混合比率を増加させると、むしろ除去速度が低下することがわかった。H2/O2混合雰囲気における除去速度の向上は、OラジカルではなくOHラジカルによるものと考えられる。