The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

Presentation information

Oral presentation

9 Applied Materials Science » 9.3 Nanoelectronics

[9p-Z26-1~14] 9.3 Nanoelectronics

Wed. Sep 9, 2020 1:00 PM - 5:15 PM Z26

Katsuhiko Nishiguchi(NTT), Yasuhisa Naitoh(AIST)

3:30 PM - 3:45 PM

[9p-Z26-10] Formation of Microstructures for Nano-gap Electrode Patterns Using Ion Milling

Kazuki Otsu1,3, Hiroshi Suga1, Kazuhito Tsukagoshi2, Touru Sumiya3, Hisashi Shima3, Yasuhisa Naitoh3 (1.CIT, 2.WPI-MANA NIMS, 3.AIST)

Keywords:nanogap

ナノギャップ電極の形成は主に電子ビームリソグラフィ (EBL) と光露光を組み合わせたパターニングを用いており,水に弱い単結晶基板などに対しては光露光が使用できず,デバイス作製工程を工夫する必要がある.そこで,本研究では酸化膜を備えたシリコン基板上に金属膜を均一成膜し,EBLを用いて素子のふち構造を描画し,アルゴンミリングすることで描画時間の短縮や重ね露光が不要な,簡便な電極作製工程を提案する.