[9p-Z26-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

[9p-Z26-9] 交流印加蒸着時エレクトロマイグレーションによる 多端子ナノ電極の形成

〇阿部 卓也^1,3、菅 洋志¹、塚越 一仁²、内藤 泰久³ (1.千葉工大、2.物材機構、3.産総研)

キーワード：ナノギャップ, 微細構造, トランジスター

白金ナノギャップ構造が600 ℃以上の環境下で不揮発性メモリになることが報告されている。また、ナノギャップ間のトンネル電流をゲート電界で制御することで、トランジスタ動作することが報告されている。我々は⾦属蒸着中にバイアス電圧を印加することによって、⾃⼰整合的に1 nm程度のナノギャップ構造を形成する蒸着時エレクトロマイグレーション法を応⽤し、平⾯上にナノスケールの多端⼦構造を簡便に形成する方法を実証した。