[9p-Z29-1~17] 17.2 Graphene

[9p-Z29-16] Electrical transport of tetralayer graphene quantum dot device in perpendicular magnetic field

〇Taku Kato¹, Hirohito Ito¹, Takuya Iwasaki², Kenji Watanabe², Takashi Taniguchi², Satoshi Moriyama³, Tsuyoshi Hatano¹ (1.Nihon Univ., 2.NIMS, 3.Tokyo Deniki Univ.)

Keywords:graphene, quantum dot

多層グラフェンはスピンの向きをゲート電極によって制御できる可能性が示唆されており、スピントロニクスデバイスや量子効果デバイスの材料として期待されている。しかしこれまで多層グラフェンを用いた量子デバイスの研究報告は少なく、量子ドットでの電気伝導特性の研究報告はない。本研究では、4層グラフェン/hBN構造を用いて単一量子ドットデバイスを作製し、その電気伝導特性と磁場依存性を測定したので報告する。