17:30 〜 17:45 [9p-Z29-16] 垂直磁場下における4層グラフェン量子ドットデバイスの電気伝導特性 〇加藤 拓1、伊藤 博仁1、岩﨑 拓哉2、渡邊 賢司2、谷口 尚2、森山 悟士3、羽田野 剛司1 (1.日大工、2.物材機構、3.東京電機大)