[9p-Z29-1~17] 17.2 グラフェン

[9p-Z29-16] 垂直磁場下における４層グラフェン量子ドットデバイスの電気伝導特性

〇加藤 拓¹、伊藤 博仁¹、岩﨑 拓哉²、渡邊 賢司²、谷口 尚²、森山 悟士³、羽田野 剛司¹ (1.日大工、2.物材機構、3.東京電機大)

キーワード：グラフェン, 量子ドット

多層グラフェンはスピンの向きをゲート電極によって制御できる可能性が示唆されており、スピントロニクスデバイスや量子効果デバイスの材料として期待されている。しかしこれまで多層グラフェンを用いた量子デバイスの研究報告は少なく、量子ドットでの電気伝導特性の研究報告はない。本研究では、4層グラフェン/hBN構造を用いて単一量子ドットデバイスを作製し、その電気伝導特性と磁場依存性を測定したので報告する。