[9p-Z29-1~17] 17.2 グラフェン

△ [9p-Z29-8] SiC上グラフェンの水脱離によるシート抵抗変化

〇南 朋貴¹、越智 柊太¹、大野 恭秀¹、永瀬 雅夫¹ (1.徳島大学)

キーワード：グラフェン, ガスセンサ, 水脱離

SiC上グラフェンに純水処理を行うことによって水分子が強く吸着し、表面に構造水層を形成させることができる。本研究ではSiC上グラフェンに形成した構造水層の加熱による脱離過程を電気特性により検討した。アニール処理した試料状態と、純水処理し構造水層を形成させた試料状態に対して室温から300 ℃に昇温させ、シート抵抗の測定を行った。構造水層の昇温脱離過程を電気的に計測することができた。