2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[9p-Z29-1~17] 17.2 グラフェン

2020年9月9日(水) 13:30 〜 18:00 Z29

永瀬 雅夫(徳島大)、吹留 博一(東北大)

15:30 〜 15:45

[9p-Z29-9] 多結晶グラフェンを固体炭素源からシリコン基板上に直接パターニング成長させる方法の開発とその発光素子化

中川 鉄馬1,2、高橋 英統2、志村 惟2、牧 英之2,3 (1.神奈川産技総研、2.慶應大理工、3.慶應大スピントロニクス)

キーワード:グラフェン, 発光素子, 急速熱アニール

本研究では、リソグラフィーにより金属触媒及び固体炭素源として用いるNiとアモルファスカーボンをあらかじめパターニングしておくことにより、多結晶グラフェンを固体炭素源からシリコン基板上に任意のサイズ・大きさで、任意の位置に直接パターニング成長させる方法を開発した。また、直接パターニンググラフェンのような多結晶グラフェンであっても、機械的剥離法やCVD法によって得られる高結晶性と同様に発光素子化可能なことが明らかとなった。