09:30 〜 09:45 [15a-A201-2] 4H-SiC PiNダイオードにおける異なる起点から拡張した積層欠陥の部分転位解析 〇西尾 譲司1、岡田 葵1、太田 千春1、飯島 良介1 (1.(株)東芝)
11:30 〜 11:45 [15a-D411-10] 溶融KOHエッチングによる4H-SiC基底面転位エッチピットの評価 〇西尾 譲司1、太田 千春1、岡田 葵1、飯島 良介1 (1.東芝研開センター)