09:00 〜 09:15 [13a-B401-1] 成膜後熱処理による原子層堆積Al2O3/GaNキャパシタのバイアス安定性向上 堀川 清孝1、川原田 洋1,2,3、〇平岩 篤2,4 (1.早大理工、2.早大ナノ・ライフ、3.早大材研、4.名大未来研)