14:00 〜 14:15 [14p-B401-3] スパッタ法により成膜したn+GaNのトレンチMOSFETソース領域への適用検討 〇石田 崇1,2,3、篠崎 哲也4、白井 雅紀4、高澤 悟4、須田 淳1,3、加地 徹1 (1.名大未来研、2.トヨタ自動車、3.名大院工、4.アルバック)