09:30 〜 11:30 [15a-PA5-5] ICP CVDによるSiO:F膜を用いた低温トップゲートIGZO TFT 〇酒井 敏彦1、松尾 大輔1、藤原 将喜1、池田 拓弥1、岸田 茂明1、瀬戸口 佳孝1、安東 靖典1、宮永 良子2、藤井 茉美2、浦岡 行治2 (1.日新電機、2.奈良先端大)