[15a-PA5-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-PA5-5] ICP CVDによるSiO:F膜を用いた低温トップゲートIGZO TFT

〇酒井 敏彦¹、松尾 大輔¹、藤原 将喜¹、池田 拓弥¹、岸田 茂明¹、瀬戸口 佳孝¹、安東 靖典¹、宮永 良子²、藤井 茉美²、浦岡 行治² (1.日新電機、2.奈良先端大)

キーワード：IGZO、誘導結合プラズマ、化学気相成長