浅沼周太郎

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発表者・著者、共著者

2020年3月15日(日) 13:45 〜 15:45 D311 (11-311)

一般セッション(口頭講演)
| 6 薄膜・表面
| 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-D311-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

15:30 〜 15:45

[15p-D311-8] LaCuO_3-d極薄膜の構造及び電気特性

〇浅沼周太郎¹ (1.産総研)

2020年3月15日(日) 09:00 〜 12:30 A305 (6-305)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.3 絶縁膜技術

[15a-A305-1~13] 13.3 絶縁膜技術

11:15 〜 11:30

[15a-A305-9] ALD-ZrO₂/TiO₂/SiO₂ MOS構造から観察されるポテンシャル変調動作

〇浅沼周太郎¹、住田杏子¹、宮口有典²、堀田和正²、神保武人²、齋藤一也²、宮田典幸¹ (1.産総研、2.アルバック)