15:45 〜 16:00 [12p-D215-7] 三重層構造を有するInAs/GaAs量子ドットからの1.42µm帯発光 〇ZHAN WENBO1、權 晋寛1、渡邉 克之1、角田 雅弘1、岩本 敏1,2,3、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.東大先端研)