17:30 〜 17:45 [13p-D419-14] β-Ga2O3エピタキシャル層の低ドナー濃度化によるMOSキャパシタの高耐圧化 〇脇本 大樹1、佐々木 公平1、宮本 広信1、ティユ クァントゥ1、倉又 朗人1、山腰 茂伸1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)