17:15 〜 17:30 △ [13p-A305-12] Geチャネル平坦化プロセスにおけるGe nMOSFETsの面方位依存性 〇石井 寛仁1,2、張 文馨1、入沢 寿史1、水林 亘1、石井 裕之1、前田 辰郎1,2 (1.産総研、2.東理大)