16:30 〜 16:45 [12p-D215-9] GaAsキャップ層により埋め込まれたInAs量子ドットのキャップ層成長レートによる広帯域発光中心波長制御 〇王 涛1、岡田 直樹1、大島 仁1、尾崎 信彦1、池田 直樹2、杉本 喜正2 (1.和歌山大シス工、2.物材機構)