13:00 〜 13:15 △ [15p-A201-1] イオン注入により作製したSiCサイドゲートJFETにおける閾値電圧のチャネル厚依存性から求めた横方向チャネリング量 〇金 祺民1、中島 誠志2、金子 光顕2、木本 恒暢2 (1.京大工、2.京大院工)