[15p-A201-1~15] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15p-A201-1] Characterization of lateral channeling from threshold voltages of SiC side-gate JFETs fabricated by ion implantation

〇Qimin Jin¹, Masashi Nakajima², Mitsuaki Kaneko², Tsunenobu Kimoto² (1.Kyoto Univ., 2.Dept. of Electron. Sci. & Eng., Kyoto Univ.)

Keywords:silicon carbide, junction field effect transistor, semi-insulating substrate

SiCは、耐高温・耐放射線の厳環境デバイス材料として有望視されており、我々はノーマリオフ型n-、p-JFETを組み合わせた相補型JFET(CJFET)による論理回路を提案している。CJFET構成にあたり、n-、p-JFETそれぞれの閾値電圧はCJFET回路の論理閾値を決定するため、その精密制御が必要となる。本研究では、閾値電圧決定に重要であるイオン注入時の横方向チャネリング現象の解釈に向け、JFETの閾値電圧のチャネル厚依存性から横方向チャネリングの定量化を試みる。