11:15 〜 11:30 [15a-A201-8] シリコンキャップアニーリングを行ったn型4H-SiCのオーミックコンタクト形成メカニズムの解明 〇東堂 大地1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)