09:30 〜 09:45 △ [13a-B401-3] GaN/HfSiOx界面でSiO2及びHfO2初期成長層が電気特性へ及ぼす影響 〇(M1)前田 瑛里香1,2、生田目 俊秀2、廣瀨 雅史1,2、井上 万里2、大井 暁彦2、池田 直樹2、塩崎 宏司3、清野 肇1 (1.芝浦工大、2.物材機構、3.名大)