古田守

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発表者・著者、共著者

2020年3月12日(木) 09:00 〜 12:15 D419 (11-419)

一般セッション(口頭講演)
| 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:00 〜 10:15

[12a-D419-5] 水素化InGaZnO_xによる高移動度薄膜トランジスタの低温作製-1
～高In比率IGZOへの水素添加効果～

〇古田守¹、森海¹、濱田秀平¹、河野守哉¹、是友大地¹、曲勇作¹ (1.高知工大)