Niloy Chandra Saha

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発表者・著者、共著者

2020年3月12日(木) 13:45 〜 17:45 D419 (11-419)

一般セッション(口頭講演)
| 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12p-D419-1~15] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

17:30 〜 17:45

▼ [12p-D419-15] High current (0.78 A/mm) and high voltage (618 V) operation of NO₂-doped diamond MOSFETs

〇(D)Niloy Chandra Saha¹、Y. Kawamata²、K. Koyama²、S. -W. Kim²、T. Oishi¹、M. Kasu¹ (1.Saga Univ.、2.Adamant Namiki Precision Jewel Co., Ltd.)