09:30 〜 11:30 [13a-PA6-2] HCl環境下でのSiC CVD成長における気相反応と表面構造の予測 〇(PC)長川 健太1、醍醐 佳明2、水島 一郎2,3、依田 孝2,3、白石 賢二1 (1.名大未来研、2.ニューフレアテクノロジー、3.東工大未来研)