16:00 〜 18:00 [13p-PA9-16] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの素子特性にバッファ層へのCまたはFeドーピングが及ぼす影響 〇近藤 孝明1、東中川 洋幸1、岩田 直高1 (1.豊田工大)