16:00 〜 18:00 [13p-PB1-9] RFマグネトロンスパッタ法を用いたGaN薄膜の作製とその電気抵抗の圧力依存性の評価 〇齋藤 佑樹1、宮本 卓哉1、佐藤 祐喜1、大鉢 忠1、吉門 進三1、竹本 菊郎2、宇野 裕行2、木村 直人2、高崎 正規2 (1.同志社大院理工、2.ヤマナカヒューテック)