10:00 〜 10:15 [14a-A302-5] トンネル接合を用いた低濃度p型GaN縦型 SBD構造の作製 〇柴原 啓太1、上野 耕平1、小林 篤1、藤岡 洋1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)
10:15 〜 10:30 [14a-A302-6] 縦型p型GaN SBD を用いたショットキー障壁高さの評価 〇柴原 啓太1、上野 耕平1、小林 篤1、藤岡 洋1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)