10:45 〜 11:00 △ [14a-D221-7] 最大ゲート幅WG = 1 mmを有するALD-Al2O3多結晶ダイヤモンドMOSFETsの高周波特性評価 〇(B)荒井 雅一1、今西 祥一朗1、久樂 顕1、堀川 清貴1、平岩 篤1、川原田 洋1,2 (1.早大理工、2.早大材研)