Anna Kafar

発表者・著者、共著者

2020年3月15日(日) 09:00 〜 12:15 A302 (6-302)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:00 〜 10:15

▼ [15a-A302-5] InGaN quantum wells with spatially engineered indium content for broadening of nitride superluminescent diode emission spectra

〇Anna Kafar^1,2、Ryota Ishii¹、Krzysztof Gibasiewicz²、Szymon Stanczyk²、Szymon Grzanka^2,3、Mikiya Tano⁴、Atsushi Sakaki⁴、Tadeusz Suski²、Piotr Perlin^2,3、Mitsuru Funato¹、Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ.、2.IHPP PAS、3.TopGaN Ltd.、4.Nichia Corp.)

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