15:45 〜 16:00 △ [15p-A201-11] ウェットPOA処理を用いて形成するp型4H-SiC (0001) MOS界面特性に与える酸素分圧及び温度による影響の考察 〇小柳 潤1、喜多 浩之1 (1.東大院工)