Qiao Chu

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発表者・著者、共著者

2020年3月15日(日) 13:00 〜 17:00 A201 (6-201)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

14:15 〜 14:30

▼ [15p-A201-6] Mechanical-stress-induced anomalous change of electrical characteristics of 4H-SiC (0001) NMOSFET fabricated on Al-implanted p-type well

〇Qiao Chu¹、Adhi Dwi Hatmanto¹、Masahiro Masunaga²、Akio Shima²、Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.Hitachi, Ltd.)