[12a-D215-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2020年3月12日(木) 09:30 〜 11:45 D215 (11-215)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:30 〜 09:45

▲ [12a-D215-1] Photoluminescence Intensity Change of InGaAsN Quantum Well by Laser Irradiation

〇(D)Md Zamil Sultan^1,2、Shuhei Yagi¹、Kengo Takamiya¹、Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ.、2.Haj. Dan. Sci. & Tech. Univ.(HSTU))

09:45 〜 10:00

[12a-D215-2] SiドープGaAsNにおける電子濃度のアニール温度依存性

〇塚崎貴司¹、持田直輝¹、藤田実樹²、牧本俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

10:00 〜 10:15

[12a-D215-3] 電子線照射によるIII-V-N混晶の結晶性回復メカニズムの検討

〇二村綾¹、山根啓輔¹、源常栄人¹、住田泰史²、今泉充²、若原昭浩¹ (1.豊橋技科大、2.宇宙機構)

10:15 〜 10:30

△ [12a-D215-4] GaPN混晶でのリン空孔を介した窒素起因点欠陥の消滅に関する理論的解析

〇牧唯人¹、山根啓輔¹、若原昭浩¹ (1.豊橋技科大)

10:45 〜 11:00

[12a-D215-5] 低温成長GaAs_1-xBi_xの分子線エピタキシャル成長条件

〇富永依里子¹、堀田行紘¹、高垣佑斗¹、行宗詳規²、藤原亮²、石川史太郎² (1.広大院先端研、2.愛媛大理工)

11:00 〜 11:15

[12a-D215-6] GaAs/GaAsBiコアーシェルナノワイヤ成長におけるBiフラックスの影響

〇森翔太¹、堤陸朗¹、行宗詳規¹、石川史太郎¹ (1.愛媛大工)

11:15 〜 11:30

△ [12a-D215-7] Si上InAs/GaSbコアシェルナノワイヤ選択成長

〇(M2)蒲生浩憲¹、冨岡克広¹ (1.北大量集センター)

11:30 〜 11:45

△ [12a-D215-8] AlInSb/InSb QW構造における表面モフォロジーと電子移動度の関係

〇町田龍人^1,2、渡邊一世^1,2、原紳介¹、遠藤聡^1,2、山下良美¹、笠松章史¹、藤代博記² (1.情報通信研究機構、2.東理大基礎工)

セッション情報

[12a-D215-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

▲ [12a-D215-1] Photoluminescence Intensity Change of InGaAsN Quantum Well by Laser Irradiation

[12a-D215-2] SiドープGaAsNにおける電子濃度のアニール温度依存性

[12a-D215-3] 電子線照射によるIII-V-N混晶の結晶性回復メカニズムの検討

△ [12a-D215-4] GaPN混晶でのリン空孔を介した窒素起因点欠陥の消滅に関する理論的解析

[12a-D215-5] 低温成長GaAs_1-xBi_xの分子線エピタキシャル成長条件

[12a-D215-6] GaAs/GaAsBiコアーシェルナノワイヤ成長におけるBiフラックスの影響

△ [12a-D215-7] Si上InAs/GaSbコアシェルナノワイヤ選択成長

△ [12a-D215-8] AlInSb/InSb QW構造における表面モフォロジーと電子移動度の関係

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[12a-D215-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

▲ [12a-D215-1] Photoluminescence Intensity Change of InGaAsN Quantum Well by Laser Irradiation

[12a-D215-2] SiドープGaAsNにおける電子濃度のアニール温度依存性

[12a-D215-3] 電子線照射によるIII-V-N混晶の結晶性回復メカニズムの検討

△ [12a-D215-4] GaPN混晶でのリン空孔を介した窒素起因点欠陥の消滅に関する理論的解析

[12a-D215-5] 低温成長GaAs1-xBixの分子線エピタキシャル成長条件

[12a-D215-6] GaAs/GaAsBiコアーシェルナノワイヤ成長におけるBiフラックスの影響

△ [12a-D215-7] Si上InAs/GaSbコアシェルナノワイヤ選択成長

△ [12a-D215-8] AlInSb/InSb QW構造における表面モフォロジーと電子移動度の関係

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[12a-D215-5] 低温成長GaAs_1-xBi_xの分子線エピタキシャル成長条件