一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2020年3月12日(木) 13:15 〜 16:45 A202 (6-202)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:15 〜 13:30
〇葉 術軍1、山部 紀久夫1、遠藤 哲郎1 (1.東北大学)
スケジュール
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13:30 〜 13:45
〇(B)鈴木 小春1、山末 耕平1、長 康雄1 (1.東北大通研)
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13:45 〜 14:00
〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大)
スケジュール
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14:00 〜 14:15
〇北 玲男1、豊田 雅文1、斎藤 晋1 (1.東工大理)
スケジュール
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14:15 〜 14:30
〇(D)Jooyoung Pyo1、Yusuke Horiuchi1、Shun-ichiro Ohmi1 (1.Tokyo Tech.)
スケジュール
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14:30 〜 14:45
〇(M2)堀内 勇介1、森田 大貴1、表 柱栄1、大見 俊一郎1 (1.東工大)
スケジュール
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14:45 〜 15:00
〇(DC)Efi Dwi Indari1,2、Yoshiyuki Yamashita1,2、Ryu Hasunuma3、Kikuo Yamabe3 (1.Kyushu University、2.NIMS、3.University of Tsukuba)
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15:15 〜 15:30
〇(B)岡田 丈1、森 伸也1 (1.阪大工)
スケジュール
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15:30 〜 15:45
〇相馬 聡文1、小川 真人1 (1.神戸大院工)
スケジュール
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15:45 〜 16:00
〇田中 貴久1、矢嶋 赳彬1、内田 建1 (1.東大マテ)
スケジュール
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16:00 〜 16:15
〇岡田 崇太1、吉田 勝尚1、佐野 伸行1 (1.筑波大数理)
スケジュール
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16:15 〜 16:30
〇(D)Sylvia YukYee Chung1、Motohiro Tomita1,2、Ryo Yokogawa3,4、Atsushi Ogura3、Takanobu Watanabe1,2 (1.Waseda University、2.Org. Univ. Res. Init、3.Meiji University、4.JSPS Res. Fellow DC)
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16:30 〜 16:45
〇服部 淳一1、池上 努1、福田 浩一1 (1.産総研)
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