[12a-A202-1~7] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[12a-A202-4] Dependence of Underlayer Surface Condition on Incubation Cycles in Si Nitride Film Growth using Atomic Layer Deposition Method

〇Shinji Kimura¹, Tadashi Yamaguchi¹, Masao Inoue¹ (1.Renesas)

Keywords:Atomic layer deposition, SiN, Under layer surface dependence

ALD法を用いて異なる下地表面にシリコン窒化膜(SiN)を成膜し、インキュベーションサイクルの下地表面状態依存性を調べた。HPM洗浄したSiウエハおよび、熱酸化、熱酸化後HPM洗浄したSiウエハ上にALD法にてSiN膜を成長させ、成膜サイクル数と膜厚の関係からインキュベーションサイクルを算出し比較した。処理条件によってインキュベーションサイクル異なることがわかり、前駆体の吸着は下地の表面終端状態に依存していると考えられる。