[12a-A202-1~7] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12a-A202-4] ALD法を用いたシリコン窒化膜成長におけるインキュベーションサイクルの下地表面状態依存性

〇木村 慎治¹、山口 直¹、井上 真雄¹ (1.ルネサス)

キーワード：原子層堆積、シリコン窒化膜、下層表面依存

ALD法を用いて異なる下地表面にシリコン窒化膜(SiN)を成膜し、インキュベーションサイクルの下地表面状態依存性を調べた。HPM洗浄したSiウエハおよび、熱酸化、熱酸化後HPM洗浄したSiウエハ上にALD法にてSiN膜を成長させ、成膜サイクル数と膜厚の関係からインキュベーションサイクルを算出し比較した。処理条件によってインキュベーションサイクル異なることがわかり、前駆体の吸着は下地の表面終端状態に依存していると考えられる。