[12a-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12a-A302-5] ELO-AlNテンプレートの作製とMQWの評価

〇斉藤 貴大¹、金 輝俊¹、岡田 成仁¹、前田 哲利²、定 昌史²、平山 秀樹²、只友 一行¹ (1.山口大院創成科学、2.理研)

キーワード：窒化アルミニウム、選択横方向成長

AlNは、深紫外発光素子の材料として注目されており、深紫外LDは卓上レーザー加工機などで期待されている。今後のAlGaN系深紫外線LDの開発には、低転位密度かつ高品質なAlNの作製が課題となっている。一方で、AlN基板の価格は未だに高く、低価格での作製も重要である。我々はテンプレート上に無転位部分を形成し、そこにLDを作製することを目標とし、ELO成長を行ってきた。本研究では、ELO-AlN上のMQWの調査と、無転位領域拡大の検討を行った