[12a-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12a-A302-7] ScAlMgO4基板上Ⅲ族窒化物半導体の結晶成長と評価

〇(B)高橋 遼¹、韓 東杓¹、石本 聖治¹、眞野 稜也¹、藤木 領人¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2、福田 承生³、藤井 高志³ (1.名城大理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター、3.福田結晶技術研究所)

キーワード：半導体、ScAlMgO4基板