[12a-A302-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[12a-A302-9] Variation of AlN template during the growth of InGaN/GaN hetero structure

〇Masatomo Sumiya¹, Yuki Takahara^1,2, Shuhei Yashiro^1,3, Tohru Honda³, Dickerson Kindole^1,4, Kanji Takehana¹, Yasutaka Imanaka^1,4, Akira Uedono² (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba, 3.Kougakuin Univ., 4.Hokkaido Univ.)

Keywords:III-V nitride, AlN template, MOCVD

AlNテンプレート上のGaN薄膜成長を議論することは重要である。AlNテンプレート上にGaN薄膜を成長する際に、下地であるAlNテンプレート自体がまさに緩衝層としてa軸長や半値幅が変化することを見出した。